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Référence fabricant | ISC1210BN5R6K |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN5R6K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN5R6K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 5.6µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 210mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 50MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN5R6K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN5R6K-FT |
744900018
Wurth Electronics Inc.
744900019
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744900020
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744900022
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744900027
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744900033
Wurth Electronics Inc.
744900039
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744900047
Wurth Electronics Inc.
744900056
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IHSM3825ER102L
Vishay Dale
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel