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Référence fabricant | ISC1210BN1R5J |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN1R5J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN1R5J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 370mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 750 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 90MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN1R5J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN1R5J-FT |
744901056
Wurth Electronics Inc.
744901068
Wurth Electronics Inc.
744901082
Wurth Electronics Inc.
744901110
Wurth Electronics Inc.
744901112
Wurth Electronics Inc.
744901115
Wurth Electronics Inc.
744901118
Wurth Electronics Inc.
744901122
Wurth Electronics Inc.
74478201
Wurth Electronics Inc.
744782012
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel