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Référence fabricant | ISC1210BN150K |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN150K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN150K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 15µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 165mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 2.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 20MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN150K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN150K-FT |
744901012
Wurth Electronics Inc.
744901015
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744901018
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744901022
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744901027
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744901033
Wurth Electronics Inc.
744901039
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744901056
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744901068
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel