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Référence fabricant | ISC1210AN220K |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210AN220K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210AN220K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 22µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 150mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 3.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 16MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210AN220K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210AN220K-FT |
744902127
Wurth Electronics Inc.
744902133
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744902139
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744902147
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
74479762168
Wurth Electronics Inc.
744901010
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel