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Référence fabricant | IS61NVP51236-200B3I |
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Numéro de pièce future | FT-IS61NVP51236-200B3I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS61NVP51236-200B3I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.1ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.375V ~ 2.625V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-TFBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NVP51236-200B3I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS61NVP51236-200B3I-FT |
IDT71V35761S200BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation