maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS61NLP25636A-200B3I
Référence fabricant | IS61NLP25636A-200B3I |
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Numéro de pièce future | FT-IS61NLP25636A-200B3I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS61NLP25636A-200B3I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.1ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-TFBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B3I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS61NLP25636A-200B3I-FT |
IDT71V35761S183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel