maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS61NLF25636A-7.5B2I-TR
Référence fabricant | IS61NLF25636A-7.5B2I-TR |
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Numéro de pièce future | FT-IS61NLF25636A-7.5B2I-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 117MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 7.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 119-BBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 119-PBGA (14x22) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS61NLF25636A-7.5B2I-TR-FT |
IDT71V3557SA80BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel