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Référence fabricant | IS61LPS25636A-200B3LI |
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Numéro de pièce future | FT-IS61LPS25636A-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS61LPS25636A-200B3LI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.1ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-TFBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61LPS25636A-200B3LI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS61LPS25636A-200B3LI-FT |
71V67603S133BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S133BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S150BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel