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Référence fabricant | IS61LPD51236A-200B3 |
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Numéro de pièce future | FT-IS61LPD51236A-200B3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS61LPD51236A-200B3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.1ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-PBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61LPD51236A-200B3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS61LPD51236A-200B3-FT |
IDT6116SA25SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA45SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA15TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel