maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS61DDB21M36-275M3
Référence fabricant | IS61DDB21M36-275M3 |
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Numéro de pièce future | FT-IS61DDB21M36-275M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS61DDB21M36-275M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 36Mb (1M x 36) |
Fréquence d'horloge | 275MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.71V ~ 1.89V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-LFBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M36-275M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS61DDB21M36-275M3-FT |
IS66WVE2M16DBLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR
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IS66WVE2M16EBLL-55BLI
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IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
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IS66WVE4M16ALL-7010BLI
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IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR
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IS66WVE4M16ALL-70BLI
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IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
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IS66WVE4M16BLL-70BLI
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