maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS49RL36160-125EBLI
Référence fabricant | IS49RL36160-125EBLI |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IS49RL36160-125EBLI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS49RL36160-125EBLI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (16M x 36) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.28V ~ 1.42V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 168-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS49RL36160-125EBLI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS49RL36160-125EBLI-FT |
IDT6116SA20SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel