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Référence fabricant | IS43LD32640B-25BPL-TR |
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Numéro de pièce future | FT-IS43LD32640B-25BPL-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS43LD32640B-25BPL-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Taille mémoire | 2Gb (64M x 32) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 168-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 168-VFBGA (12x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43LD32640B-25BPL-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS43LD32640B-25BPL-TR-FT |
MT47H256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:G TR
Micron Technology Inc.
AS4C32M16MD1A-5BCN
Alliance Memory, Inc.
MT47H128M4CF-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CF-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H128M8CF-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8CF-25:H
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel