maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS43LD32640B-18BPL
Référence fabricant | IS43LD32640B-18BPL |
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Numéro de pièce future | FT-IS43LD32640B-18BPL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS43LD32640B-18BPL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Taille mémoire | 2Gb (64M x 32) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 168-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 168-VFBGA (12x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43LD32640B-18BPL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS43LD32640B-18BPL-FT |
MT47H64M16HW-3 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HW-3:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-3:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:G TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel