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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI

Name: IS43DR86400E-3DBLI
Brand: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
SKU: IS43DR86400E-3DBLI
Price: 5.704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (403 reviews)

Numéro de pièce MFG: IS43DR86400E-3DBLI

quantité disponible: 36150 Pièces

Prix de référence: USD 5.704

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Brève description: - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IS43DR86400E-3DBLI.pdf

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IS43DR86400E-3DBLI Caractéristiques

Référence fabricant	IS43DR86400E-3DBLI
Numéro de pièce future	FT-IS43DR86400E-3DBLI
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IS43DR86400E-3DBLI Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - DDR2
Taille mémoire	512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge	333MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	15ns
Temps d'accès	450ns
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur	60-TWBGA (8x10.5)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IS43DR86400E-3DBLI Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IS43DR86400E-3DBLI-FT

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