maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS43DR86400D-3DBLI
Référence fabricant | IS43DR86400D-3DBLI |
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Numéro de pièce future | FT-IS43DR86400D-3DBLI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS43DR86400D-3DBLI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-TWBGA (8x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR86400D-3DBLI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS43DR86400D-3DBLI-FT |
LE25U81AMCS00TWG
ON Semiconductor
MX30LF1G08AA-TI1
Macronix
MX30LF1GE8AB-TI
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MX30LF1GE8AB-XKI
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MX30LF2G18SC-XKI
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MX30LF2G28AC-TI
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MX30LF2GE8AB-TI
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Macronix
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
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