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Référence fabricant | IS43DR16640B-3DBI |
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Numéro de pièce future | FT-IS43DR16640B-3DBI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS43DR16640B-3DBI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-TWBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-3DBI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS43DR16640B-3DBI-FT |
IS43DR16640C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16160B-37CBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel