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Référence fabricant | IS43DR16640B-25EBLI |
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Numéro de pièce future | FT-IS43DR16640B-25EBLI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS43DR16640B-25EBLI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-TWBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-25EBLI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS43DR16640B-25EBLI-FT |
EMFP112A3PB-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
F320BJHEPTTL60
Sharp Microelectronics
F320BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
F800BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
FM27C256Q120
ON Semiconductor
FM27C256Q150
ON Semiconductor
FM27C256QE150
ON Semiconductor
FM27C256V120
ON Semiconductor
FM27C256V150
ON Semiconductor
FM27C512Q120
ON Semiconductor
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel