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Infineon Technologies IRLR8103

Numéro de pièce MFG
IRLR8103
quantité disponible
41060 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLR8103.pdf
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IRLR8103 Caractéristiques

Référence fabricant IRLR8103
Numéro de pièce future FT-IRLR8103
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLR8103 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 89A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 89W (Ta)
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D-Pak
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR8103 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLR8103-FT

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