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Infineon Technologies IRLR4343TRRPBF

Name: IRLR4343TRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR4343TRRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (776 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLR4343TRRPBF

quantité disponible: 95840 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLR4343TRRPBF.pdf

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IRLR4343TRRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLR4343TRRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRLR4343TRRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLR4343TRRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	79W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-Pak
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR4343TRRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLR4343TRRPBF-FT

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