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Infineon Technologies IRLR3636PBF

Name: IRLR3636PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (360 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLR3636PBF

quantité disponible: 55910 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLR3636PBF.pdf

IRLR3636PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLR3636PBF
Numéro de pièce future	FT-IRLR3636PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLR3636PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3779pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	143W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-Pak
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR3636PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLR3636PBF-FT

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