maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLR014NTRL
Référence fabricant | IRLR014NTRL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRLR014NTRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLR014NTRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 28W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR014NTRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLR014NTRL-FT |
IRFR3711TRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711Z
Infineon Technologies
IRFR3711ZCTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711ZPBF
Infineon Technologies
IRFR3711ZTR
Infineon Technologies
IRFR3711ZTRL
Infineon Technologies
IRFR3711ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3711ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711ZTRR
Infineon Technologies
IRFR3711ZTRRPBF
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel