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Référence fabricant | IRLL2703TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRLL2703TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLL2703TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLL2703TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLL2703TRPBF-FT |
FDMS86380-F085
ON Semiconductor
FDMS86381-F085
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FDMS9411-F085
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation