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Vishay Siliconix IRLD120

Numéro de pièce MFG
IRLD120
quantité disponible
67980 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLD120.pdf
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IRLD120 Caractéristiques

Référence fabricant IRLD120
Numéro de pièce future FT-IRLD120
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRLD120 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / caisse 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLD120 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLD120-FT

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