maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLD014
Référence fabricant | IRLD014 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRLD014 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRLD014 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLD014 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLD014-FT |
TK6Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W5,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel