maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLBL1304
Référence fabricant | IRLBL1304 |
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Numéro de pièce future | FT-IRLBL1304 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLBL1304 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 185A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7660pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SUPER D2-PAK |
Paquet / caisse | Super D2-Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLBL1304 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLBL1304-FT |
IXFT120N30X3HV
IXYS
IXFT140N20X3HV
IXYS
IXFT100N30X3HV
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IXFP14N85X
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XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
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XC2V1000-5BGG575I
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10AX016E4F29E3SG
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