maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLBA1304P
Référence fabricant | IRLBA1304P |
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Numéro de pièce future | FT-IRLBA1304P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLBA1304P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 185A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7660pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | SUPER-220™ (TO-273AA) |
Paquet / caisse | Super-220™-3 (Straight Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLBA1304P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLBA1304P-FT |
IXTC220N055T
IXYS
IXTC200N10T
IXYS
IXTC180N10T
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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5CGXFC7C6U19A7N
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