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Infineon Technologies IRL80HS120

Numéro de pièce MFG
IRL80HS120
quantité disponible
89440 Pièces
Prix de référence
USD 0.36884
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRL80HS120.pdf
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IRL80HS120 Caractéristiques

Référence fabricant IRL80HS120
Numéro de pièce future FT-IRL80HS120
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRL80HS120 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 11.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-PQFN (2x2)
Paquet / caisse 6-VDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL80HS120 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRL80HS120-FT

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