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Infineon Technologies IRL6372PBF

Name: IRL6372PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL6372PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (283 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRL6372PBF

quantité disponible: 34510 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRL6372PBF.pdf

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IRL6372PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRL6372PBF
Numéro de pièce future	FT-IRL6372PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRL6372PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6372PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRL6372PBF-FT

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