maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRL6283MTRPBF
Référence fabricant | IRL6283MTRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRL6283MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRL6283MTRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 38A (Ta), 211A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.75 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8292pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET™ MD |
Paquet / caisse | DirectFET™ Isometric MD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL6283MTRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRL6283MTRPBF-FT |
IXFT140N20X3HV
IXYS
IXFT100N30X3HV
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A40MX02-VQG80M
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Microsemi Corporation
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EP4SGX530KF43C3
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
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