maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRL530
Référence fabricant | IRL530 |
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Numéro de pièce future | FT-IRL530 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRL530 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 88W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL530 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRL530-FT |
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XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
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EP1SGX40GF1020I6
Intel