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Infineon Technologies IRL3502STRR

Numéro de pièce MFG
IRL3502STRR
quantité disponible
81220 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRL3502STRR Caractéristiques

Référence fabricant IRL3502STRR
Numéro de pièce future FT-IRL3502STRR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRL3502STRR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL3502STRR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRL3502STRR-FT

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