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Infineon Technologies IRL3303STRRPBF

Name: IRL3303STRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL3303STRRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (782 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRL3303STRRPBF

quantité disponible: 60900 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRL3303STRRPBF.pdf

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IRL3303STRRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRL3303STRRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRL3303STRRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRL3303STRRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL3303STRRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRL3303STRRPBF-FT

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