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Infineon Technologies IRFU3706-701PBF

Numéro de pièce MFG
IRFU3706-701PBF
quantité disponible
12350 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFU3706-701PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFU3706-701PBF
Numéro de pièce future FT-IRFU3706-701PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFU3706-701PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur I-PAK (LF701)
Paquet / caisse TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFU3706-701PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFU3706-701PBF-FT

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