maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFU120
Référence fabricant | IRFU120 |
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Numéro de pièce future | FT-IRFU120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFU120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251AA |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFU120-FT |
IRFZ48STRL
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IRL2203STRL
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LFXP6E-4T144I
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M1A3P250-1PQG208I
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Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K130EQC240-3N
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