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Infineon Technologies IRFSL23N20D102P

Name: IRFSL23N20D102P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL23N20D102P
Availability: InStock
Rating: 4.6 (561 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFSL23N20D102P

quantité disponible: 90390 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFSL23N20D102P.pdf

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IRFSL23N20D102P Caractéristiques

Référence fabricant	IRFSL23N20D102P
Numéro de pièce future	FT-IRFSL23N20D102P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFSL23N20D102P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1960pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-262
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL23N20D102P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFSL23N20D102P-FT

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