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IRFSL11N50APBF Image

Vishay Siliconix IRFSL11N50APBF

Numéro de pièce MFG
IRFSL11N50APBF
quantité disponible
27120 Pièces
Prix de référence
USD 3.304
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFSL11N50APBF.pdf
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IRFSL11N50APBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFSL11N50APBF
Numéro de pièce future FT-IRFSL11N50APBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFSL11N50APBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-262-3
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL11N50APBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFSL11N50APBF-FT

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