maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFS644BYDTU_AS001
Référence fabricant | IRFS644BYDTU_AS001 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFS644BYDTU_AS001 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFS644BYDTU_AS001 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 43W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS644BYDTU_AS001 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS644BYDTU_AS001-FT |
FQPF1N60T
ON Semiconductor
FQPF1P50
ON Semiconductor
FQPF27N25T
ON Semiconductor
FQPF28N15
ON Semiconductor
FQPF28N15T
ON Semiconductor
FQPF2N30
ON Semiconductor
FQPF2N40
ON Semiconductor
FQPF2N50
ON Semiconductor
FQPF2N60
ON Semiconductor
FQPF2N90
ON Semiconductor
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel