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Référence fabricant | IRFS3307ZTRLPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFS3307ZTRLPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFS3307ZTRLPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS3307ZTRLPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS3307ZTRLPBF-FT |
BUK7C10-75AITE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.
BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.
BUK7C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C4R5-100EJ
NXP USA Inc.
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.
BUK9C1R3-40EJ
NXP USA Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel