maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFS31N20DTRRP
Référence fabricant | IRFS31N20DTRRP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFS31N20DTRRP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFS31N20DTRRP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 31A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS31N20DTRRP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS31N20DTRRP-FT |
IRF3711STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3711STRR
Infineon Technologies
IRF3711STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3711ZCS
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRL
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRLP
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRR
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRRP
Infineon Technologies
IRF3711ZS
Infineon Technologies
IRF3711ZSPBF
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel