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Infineon Technologies IRFS31N20DPBF

Name: IRFS31N20DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS31N20DPBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (188 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFS31N20DPBF

quantité disponible: 45270 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFS31N20DPBF.pdf

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IRFS31N20DPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFS31N20DPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFS31N20DPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFS31N20DPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS31N20DPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFS31N20DPBF-FT

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