maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFR9120NPBF
Référence fabricant | IRFR9120NPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFR9120NPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR9120NPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR9120NPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR9120NPBF-FT |
IRFR3710ZTR
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRL
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRR
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711
Infineon Technologies
IRFR3711PBF
Infineon Technologies
IRFR3711TR
Infineon Technologies
IRFR3711TRL
Infineon Technologies
IRFR3711TRLPBF
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.