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Référence fabricant | IRFR825TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR825TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR825TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1346pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 119W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR825TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR825TRPBF-FT |
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A42MX09-1VQ100
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EP3C10F256I7
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10AX066K1F35E1SG
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