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Infineon Technologies IRFR3711TRR

Numéro de pièce MFG
IRFR3711TRR
quantité disponible
65850 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFR3711TRR Caractéristiques

Référence fabricant IRFR3711TRR
Numéro de pièce future FT-IRFR3711TRR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFR3711TRR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D-Pak
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR3711TRR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFR3711TRR-FT

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