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Référence fabricant | IRFR2405TRR |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR2405TRR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR2405TRR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 56A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 34A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2430pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR2405TRR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR2405TRR-FT |
HUFA75829D3ST
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HUFA76407D3S
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LCMXO2-7000HC-6BG256C
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LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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