maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFR15N20DPBF
Référence fabricant | IRFR15N20DPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFR15N20DPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR15N20DPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR15N20DPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR15N20DPBF-FT |
HUF75925D3ST
ON Semiconductor
HUF76009D3ST
ON Semiconductor
HUF76013D3S
ON Semiconductor
HUF76013D3ST
ON Semiconductor
HUF76407D3S
ON Semiconductor
HUF76419D3ST
ON Semiconductor
HUF76423D3S
ON Semiconductor
HUF76429D3S
ON Semiconductor
HUF76429D3ST
ON Semiconductor
HUF76609D3S
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel