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Référence fabricant | IRFR12N25DCPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR12N25DCPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR12N25DCPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 144W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR12N25DCPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR12N25DCPBF-FT |
GP1M006A065CH
Global Power Technologies Group
GP1M007A065CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050CG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020CG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060CG
Global Power Technologies Group
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel