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Référence fabricant | IRFR1010ZPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR1010ZPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR1010ZPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 42A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR1010ZPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR1010ZPBF-FT |
FQD7N10LTF
ON Semiconductor
FQD7N10TM
ON Semiconductor
FQD7N20LTF
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FQD7N20TF
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A3P015-1QNG68
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5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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