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Vishay Siliconix IRFPG30PBF

Numéro de pièce MFG
IRFPG30PBF
quantité disponible
45340 Pièces
Prix de référence
USD 2.672
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFPG30PBF.pdf
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IRFPG30PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFPG30PBF
Numéro de pièce future FT-IRFPG30PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFPG30PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFPG30PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFPG30PBF-FT

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