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Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF

Name: IRFHS9301TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS9301TRPBF
Price: 0.2142 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (328 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFHS9301TRPBF

quantité disponible: 88320 Pièces

Prix de référence: USD 0.2142

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFHS9301TRPBF.pdf

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IRFHS9301TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFHS9301TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFHS9301TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFHS9301TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta), 13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-PQFN (2x2)
Paquet / caisse	6-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS9301TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFHS9301TRPBF-FT

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