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Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

Name: IRFHM8363TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (42 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFHM8363TR2PBF

quantité disponible: 68230 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFHM8363TR2PBF.pdf

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IRFHM8363TR2PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFHM8363TR2PBF
Numéro de pièce future	FT-IRFHM8363TR2PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFHM8363TR2PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Puissance - Max	2.7W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8363TR2PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFHM8363TR2PBF-FT

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